俄罗斯光刻设备半年内两度突破:350nm入列、150nm原型机启动测试
2026-07-24
俄罗斯自研1.5nm电子束光刻样机,将晶圆曝光时间从2周缩短至5分钟
韩国突破全彩超构透镜技术,AR/VR显示迈向量产新阶段
台湾引入美商无掩模芯片制造系统,无须光掩模即可印刷电路
中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所【EBL电子束光刻机】公开招标