SK海力士将散热技术直接引入D2D PHY，以应对日益严峻的HBM发热挑战

随着高带宽内存（HBM）技术的不断进步，为了满足全球对AI数据处理激增的需求，芯片堆叠层数更高、速度更快，这使得散热管理成为了一个至关重要的挑战。如今，有效控制HBM与GPU之间“芯片到芯片”物理层（D2D PHY）的功率密度，已成为下一代HBM竞争力和数据中心可靠性的核心所在。

iHBM创新散热方案

SK海力士宣布已开发出一种 iHBM 解决方案，从结构上解决了 D2D PHY（连接HBM基础底片与AI加速器的接口）中热量高度集中的问题。

• 传统方案： 现有的HBM产品依赖于通过核心芯片（Core Die）进行间接散热。
• iHBM方案： 改为将集成散热元件直接放置在 D2D PHY 区域，在热负荷最高的区域创造了一条额外的散热路径。

公司报告称，该方法将热阻降低了约30%，使芯片能够在高密度、高带宽AI部署所特有的高温、高压条件下稳定运行。SK海力士计划将 iHBM 应用于包括 HBM5 在内的下一代HBM产品中，旨在提高高性能计算（HPC）和AI数据中心的稳定性和运行效率。

量产优势与兼容性

SK海力士还强调了其量产能力这一优势。依托公司先进的 MR-MUF（批量回流模制底部充胶）技术，晶圆级封装工艺能够确保配备 iHBM 的芯片实现稳定的规模化量产。

此外，SK海力士表示，该解决方案与现有的系统级封装（SiP）架构具有极高的设计兼容性，客户只需进行极少的设计修改即可采用该散热技术。

官方评价

SK海力士高级副总裁兼封装（PKG）开发主管李康旭（Kangwook Lee）将 iHBM 描述为：“结合了我们内存设计能力与先进封装技术的最佳散热管理解决方案。”

他还表示，公司旨在通过采取先发制人的措施来满足AI环境下的客户需求，从而巩固其在AI内存领域的领导地位。