2,500 PPI硅基Micro LED问世，ETRI加速下一代XR显示商业化

韩国一支研究团队开发出一种核心微型发光二极管（Micro LED）显示技术，具备可用于人工智能（AI）和扩展现实（XR）设备的超高分辨率。该工艺技术能够将微型LED精确键合到硅基电路上，可应用于下一代增强现实（AR）眼镜、虚拟现实（VR）头显以及高密度半导体封装。

韩国电子通信研究院（ETRI）于11日表示，其已开发出2,500 PPI（每英寸像素数）级别的LEDOS（硅基发光二极管）显示器，以及用于实现该显示器的超精密激光键合技术。相关研究成果已在近期举行的信息显示学会（SID）Display Week 2026上发布，并获得Micro LED领域“人民选择奖”。

LEDOS是一种超小型显示器，可将Micro LED直接集成到硅互补金属氧化物半导体（CMOS）电路上。由于XR设备需要在接近眼睛的位置呈现图像，并在很小的面积内集成大量像素，因此高分辨率、高亮度和低功耗至关重要。

ETRI团队掌握了一项工艺技术，可在单一步骤中精确连接约92万个微型触点，这些触点以10微米（μm，百万分之一米）的间距排列。这意味着其需要在比AI半导体所使用的HBM4更紧密的间距下连接更多触点。

现有超精细键合工艺存在一些问题，例如高温处理过程中基板翘曲、产生微细污染物，以及键合位置错位等。尤其是在像Micro LED这样一次性键合数十万乃至数百万个触点时，即使是很小的误差也可能导致生产良率下降。

该团队通过应用ETRI开发的新材料“SITRAB”减少了这些问题。SITRAB可抑制激光工艺过程中产生的烟雾状微细污染物的形成。同时，它还支持基于室温平台的工艺，从而减少由热膨胀引起的基板变形和对准误差。

借助这一技术，团队成功将基于氮化镓的Micro LED芯片可靠地键合到硅CMOS电路上，并实现了2,500 PPI级别的LEDOS显示器。

研究成果已于5月发表在国际期刊《Microsystems & Nanoengineering》上。SITRAB材料技术已转让给韩国国内一家材料企业，相关工艺设备也正在一家韩国国内半导体后道工艺专业企业的量产线上进行验证。

ETRI计划继续开发全彩RGB（红、绿、蓝）实现技术、超低功耗驱动技术以及大面积化技术。该机构还计划扩大与韩国国内材料、设备和封装企业的合作，以加强下一代显示器和先进封装商业化的基础。