三星追随台积电步伐，推迟ASML高NA EUV光刻机导入，目标锁定1nm节点

韩国三星电子正计划在其生产设施中引入高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术，用于制造1纳米工艺节点的芯片。这一消息来自三星电子技术副总裁Park ChangMin，他在韩国举行的一场会议上透露，三星将依赖ASML最新的光刻机进行该芯片的量产，这些芯片最早可于2030年进入大规模生产。

三星电子晶圆代工厂内部

High NA技术现状：精密度不足导致延迟

半导体制造的进步在电路尺寸缩小时会遇到物理极限。更小的电路尺寸取决于所用光的波长，随着芯片制造商面对尺寸缩减的挑战，他们触及了一个除非缩短波长否则无法克服的基本极限。然而，光刻设备中透镜系统的数值孔径（NA）可以帮助制造商——更高的孔径允许他们缩小所印刷电路的尺寸。

在此方面，虽然传统EUV光刻机受限于13.5纳米的光波长，但更高数值孔径的透镜允许制造商印刷更小的电路。这在规划下一代芯片制造技术时至关重要，例如1纳米节点（通常以埃斯特朗为单位表示，1埃斯特朗等于0.1纳米）。

2024年4月，英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒Fab D1X工厂的洁净室内，其高数值孔径极紫外光刻设备（High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet，简称HINA EUV）的安装工作已完成，并开始进行校准。这台165吨级的HINA EUV设备由ASML公司制造，是全球首台商用同类光刻系统。该设备将助力英特尔晶圆代工部门继续践行摩尔定律，为客户打造晶体管尺寸越来越小、性能更强大的芯片。（图片来源：英特尔公司）

ASML High NA EUV光刻机的推广一再推迟

尽管ASML的高NA EUV光刻机（数值孔径0.55NA）已于数年前开始出货，但其实际应用似乎再次延迟。首个延迟信号来自中国台湾台积电——去年有报道称，台积电正在考虑使用光掩模无薄膜（pellicleless）等替代方案来制造更先进芯片，而非采用高NA EUV光刻机。

无独有偶，韩国三星电子技术副总裁Park ChangMin在韩国举行的2026年下一代光刻+图案化会议上明确表示，三星将自1纳米制造节点开始使用高NA EUV光刻机。他指出，三星此前曾预期将这些光刻机用于2纳米和1.4纳米工艺节点的量产。

Park补充道，三星认为高NA EUV光刻机将从A10（1纳米）及未来节点开始变得必要。高NA EUV光刻机通过实现更小的电路尺寸，能够通过单次图案化完成印刷。若没有更高的数值孔径，传统的低NA EUV光刻机需要多次图案化，这会增加最终产品的成本、复杂性和缺陷率。

产业观察：成本与技术的博弈

ASML的高NA EUV光刻机单价高达约3.5亿欧元，是现有低NA EUV光刻机的两倍以上。台积电和三星相继推迟导入，反映出即使在头部晶圆厂看来，高NA EUV在当前节点的性价比仍未达到预期。

对于ASML而言，两大主要客户的推迟意味着其高NA EUV光刻机的出货节奏将放缓。不过，随着1纳米及以下节点的推进，高NA EUV被视为不可避免的技术选择——问题不是“是否采用”，而是“何时采用”。

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