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Tower Semiconductor 宣布在日本进行产能扩张

2026-07-21
总部位于以色列的高价值模


总部位于以色列的高价值模拟半导体解决方案代工厂商Tower Semiconductor 宣布,在日本政府的支持下,将在日本对其 300 毫米硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)及先进封装能力实施并行双轨战略扩张。

Tower Semiconductor 在一份新闻稿中表示,此次扩张旨在支持快速增长的长期客户需求,大幅提升公司的制造产能,并进一步巩固其技术领导地位

“自成为前松下半导体制造业务(现为 TPSCo)的大股东以来,该团队在将前沿创新转化为高容量卓越制造方面建立起了良好声誉,”Tower 首席执行官 Russell Ellwanger 表示。“基于这些原因,在日本政府的支持下,我们将建立一个具相当规模、全球差异化的高端研发与制造卓越中心,专注于硅光子、硅锗及先进光封装。”

第一轨道将显著新增 300 毫米硅光子产能,预计将在 2027 年第四季度具备全面量产能力。该轨道包括将原 Fab 6 厂(即新井工厂,Arai facility)进行改造重用,以构建 300 毫米硅光子产能和先进封装能力,从而最大化其位于鱼津(Uozu)的 Fab 7 厂的 300 毫米产能输出。结合第一轨道的增长前景,Tower 正在更新其商业模式,目标是在 2028 年实现 36 亿美元的营业收入和 12 亿美元的净利润。

该公司表示,第二轨道将与第一轨道同步启动,包括在相关协议签署闭环后,于 Fab 7 厂邻近区域新建一座 300 毫米制造工厂。

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原文:Tower Semiconductor announces capacity expansion in Japan
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