202608-风华高科-薄膜元器件微纳研发中试创新平台一期建设项目竣工环保验收报告
2026年10月
项目位于肇庆市端州区风华电子工业园,建筑面积400平方米,总投资2575.97万元,其中环保投资50万元。项目从事精密图形化高稳定性薄膜电阻、TN电阻、高精度Pt薄膜热敏电阻等薄膜片式电阻器产品的研发与中试,设计年产量2400片。
从设备清单看,这是一条完整覆盖薄膜器件核心工艺的微型产线:桌面型磁控溅射、DZS-500a型电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统、磁控溅射镀膜机、匀胶机、全自动曝光机、图形化系统(湿法/离子束刻蚀)、等离子清洗机、箱式退火炉、管式炉、红外退火炉、激光加工系统、激光调阻机、台阶仪、非接触式三维光学轮廓仪、键合机等,均与环评批复完全一致。
工艺路线:完整的薄膜图形化闭环
验收报告披露的生产工艺流程,呈现了一条典型的薄膜图形化制造闭环:
基板高温处理 → 超声清洗与干燥 → 电阻体与电极溅射(磁控溅射/电子束蒸发,材料涵盖镍铬硅、Pt、氮化钽、镍铜、铜、金、钛、钛钨、镍、二氧化硅等)→ 电极光刻(干膜/喷胶/匀胶+全自动曝光)→ 面电极刻蚀及脱膜(湿法刻蚀或离子束刻蚀)→ 电阻体光刻 → 电阻体刻蚀及脱膜 → 清洗干燥(真空干燥/等离子清洗)→ 气氛热处理 → 去氢老化 → 激光调阻 → 目检。
这一流程的关键在于两次独立的光刻-刻蚀循环(电极与电阻体分别图形化),以及激光调阻这一薄膜电阻器精度控制的核心工序。这意味着该中试平台具备从薄膜沉积、图形转移到阻值修调的全链条工艺验证能力,而非单一工序的研发。



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