202608-成昱芯联科技（成都）有限公司薄膜铌酸锂电光调制器芯片研发项目

项目名称、性质及地点

项目名称：薄膜铌酸锂电光调制器芯片研发项目

建设单位：成昱芯联科技（成都）有限公司

建设性质：新建

建设地点：成都市高新西区康强一路 80 号

建设规模、内容及变更情况

本项目为研发试验室建设项目，总面积约 190m2。成昱芯联科技（成都）有限公司租赁成都广日科技有限公司已建 5#研发楼一层，购置光刻机、感应耦合等离子刻蚀机、电子束蒸发台、抛光机、涂胶机等设备，建设“薄膜铌酸锂电光调制器芯片研发项目”。建设内容主要包括清洗涂胶去胶区、干法蚀刻区、金属蒸镀区、光刻区、抛光区和办公区等配套区域，其中清洗涂胶去胶区、干法蚀刻区、金属蒸镀区为千级洁净区，光刻区为百级洁净区，抛光区和办公区为普通区域。芯片研发每年晶圆用量最大为 10 片，每片晶圆最大可研制 100 片薄膜铌酸锂电光调制器芯片，故项目建成后年研发薄膜铌酸锂电光调制器芯片 1000 片/年。