森国科SJMOS ,采用多次外延的工艺,在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构,其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限,而且额定电压越高,导通电阻的下降越明显。
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