采用双层壳体结构和31段程序控温系统,移相触发,可控
硅控制。升温速率快,炉膛采用氧化铝进行保温,保温效
果好,炉外温度≤55℃。炉门口设有挡火炉门,起到隔热
作用,降低出口温度,适应各种烧结工艺。
加热元件:电阻丝、硅碳棒、硅钼棒
工作温度:1200℃、1400℃、1700℃
控温精度:±1℃
保温材料:氧化铝陶瓷纤维
电压:220V、380V
真空度:-0.1MPA
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