南智先进光电集成技术研究院

   - 面向高校科研，薄膜铌酸锂芯片研发与定制代工；提供基础器件库、版图绘制服务

   - 4 英寸晶圆级，电光调制器小批量加工；器件库支持，可器件设计、专项工艺开发

   - 周期极化质子交换、钛扩散、薄膜铌酸锂波导；频率转换器件加工，可按性能定制设计

加工能力：8 英寸及以下晶圆 / 碎片，按需最小线宽可达 8nm；可制备光栅、波导、Meta 超表面结构

配套设备：DUV、EBL、MA6、MA8、纳米压印、自动匀胶显影机

1. 1. EBL 光刻：稳定工艺最小线宽 40nm
2. 2. DUV 加工服务：8 寸晶圆级批量加工
3. 3. MA6 光刻：最小线宽 1μm
4. 4. MA8 光刻：8 寸光刻片加工
5. 5. 小线宽镀膜剥离工艺：制备膜厚 100nm、线宽 110nm Al 光栅结构

加工能力：8 英寸及以下晶圆 / 碎片；可刻蚀材料：硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、石英、氧化钛、氮化钽、各类金属氧化物

配套设备：RIE、ICP1、ICP2、IBE、深硅刻蚀机、深介质刻蚀机、气态释放刻蚀机

1. 1. α‑Si Meta 刻蚀工艺：线宽 160nm，深度 900nm
2. 2. 氧化钛 Meta 刻蚀：线宽 195nm，深度 650nm
3. 3. 氮化钽刻蚀：硅衬底 / 熔融石英衬底，刻蚀角度均＞85°

加工能力：8 英寸及以下晶圆 / 碎片 镀膜材料：CVD 介质薄膜（氧化硅、氮化硅等）；PVD 金属薄膜（金、银、铝、钛、镍、铬等）；各类金属氧化物、合金薄膜

配套设备：PECVD1、PECVD2、磁控溅射镀膜仪、电子束蒸发台、光学镀膜仪、快速退火炉、管式退火炉、半自动清洗机、甩干机

• 镀膜‑剥离成果：线宽 70nm

配套设备：双束电镜 (FIB‑SEM)、SEM/EDS、SEM、金相 / 数码显微镜、原子力显微镜 AFM、椭偏仪、台阶仪、膜厚仪、三维轮廓仪

1. 1. SEM：图像观察、微观形貌表征
2. 2. FIB‑SEM：芯片截面切割表征；结合 EDS 元素分析做失效分析；制备高质量 TEM 样品
3. 3. AFM：表面粗糙度、形貌、三维结构测量
4. 4. 膜厚仪 + 椭偏仪：薄膜厚度、光学参数（折射率 n、消光系数 k）测试

• 1. 超表面（Meta）样品工艺服务

案例 1：柱状 α‑Si Meta 结构，最小线宽 40nm，刻蚀深度 970nm，深宽比＞20:1

案例 2：石英 TiO₂方柱 Meta 结构，最小线宽 152nm，刻蚀深度 801nm，深宽比 5:1

案例 3：石英 SiN 圆柱 Meta 结构，最小线宽 100nm，刻蚀深度 600nm，深宽比 6:1

• 2. 硅光样品工艺服务

无源硅光器件制备；SiN 波导传输损耗优于 1dB/cm，最小加工线宽 80nm；支持 MMI、MZI (热调)、AWG 器件

• 3. 氮化铝（AlN）样品工艺服务

小片及 4‑8 英寸晶圆级加工；包含 AlN 镀膜、AlN/Mo 组合 PVD 镀膜、刻蚀、多层套刻、电极制备成套工艺

• 4. 二维材料制备与器件加工服务
• ①FIB 制备 TEM 样品：蓝宝石衬底二维材料，极限厚度 20nm
• ②二维材料异质结构制备：机械剥离二维材料 + 干法转移制备异质结构