元旭半导体Micro‑LED光互连芯片取得关键突破：‑3dB带宽达3.5GHz

近日，元旭半导体在Micro‑LED技术领域实现双向突破。公司联合清华大学、北京星火辰光科技有限公司完成Micro‑LED光互连芯片联合研发，样品‑3dB带宽达到3.5GHz，为AI短距光互连落地打下器件基础；与此同时，元旭半导体与天马研究院开展技术交流，围绕Micro‑LED芯片、MOG/MIP封装、COG技术推进产业协同，加速Micro‑LED显示技术产业化进程。

9月28日，元旭半导体对外披露，经清华大学与星火辰光联合测试，本次研发的Micro‑LED光互连芯片样品，在500A/cm²电流密度条件下，‑3dB带宽实现3.5GHz。‑3dB带宽是评判发光器件高速响应能力的核心指标，测试证实芯片具备3GHz以上高速响应能力，为后续驱动电路、接收器件、光学耦合结构的匹配设计，提供重要实测数据支撑。

在该合作过程中，元旭半导体重点负责Micro‑LED芯片工艺开发、巨量转移技术、玻璃基集成光电封装等产业化环节；清华大学、星火辰光主攻Micro‑LED外延材料优化、高速芯片器件设计。三方打通外延优化、芯片制备、光电集成封装、性能测试完整链条，完成器件级技术验证。依托自研 MOG（Micro‑LED on Glass）玻璃基集成平台，元旭半导体将显示领域积累的玻璃基集成能力拓展至AI光互连方向，研发边界延伸至高密度器件阵列与光电集成系统开发。

在攻坚光互连前沿技术之外，元旭半导体持续推进Micro‑LED显示产业生态建设。9月22日，天马研究院研发、采购、LED芯片相关团队到访元旭半导体，双方围绕Micro‑LED芯片、MOG/MIP封装、COG（Chip on Glass）技术展开深度研讨，重点探讨MOG芯片适配 TFT 驱动背板的技术路径与供应链合作模式，就MOG与TFT玻璃基板协同开发交换意见，计划共同推进技术验证与产品落地工作。

元旭半导体采用IDM全栈制造模式，业务覆盖Micro‑LED芯片、封装、模组全环节。产业端，天津超级工厂已于2025年3月正式投产，2026上半年公司产值实现同比翻倍，在手订单规模达2亿元，后续将持续扩大COB产线产能。此前7月，元旭半导体与天开孚莱感知达成战略合作，联合攻关微纳光电阵列巨量并行测试技术，并将技术能力复用至AI短距光互连研发当中。

作为面板端重要合作伙伴，天马Micro‑LED产业布局同样提速。其厦门总投资约11亿元的Micro‑LED试验线已经完成竣工验收，覆盖巨量转移、检测修补、封装、模组全制程。2026上半年，天马合资建设的全制程Micro‑LED产线实现全线贯通，已经在PID公共信息显示、车载领域实现产品交付，部分产品完成小批量出货；此前企业已成功点亮12英寸Micro‑LED高亮车载显示屏，面向车载HUD等高端车载场景应用，峰值亮度突破50000nits。