英特尔制程路线图再延伸：10A/7A 正式立项，14A 率先导入 High-NA EUV，关键 PDK 十月发布

英特尔首席执行官陈立武本周证实，公司已开始着手研发10A和7A制程技术。这两代技术将在下一个十年的某个时间点，接替英特尔当前一代的18A和下一代14A生产节点。10A和7A工艺预计都将能够使用ASML的高数值孔径（High-NA）极紫外光刻设备，该设备将率先应用于14A。

陈立武在摩根大通全球科技、媒体与通信大会上表示：“现在我已开始着手制定10A、7A的路线图。人们不会简单地找上门来，他们关注的是面向未来的路线图。因此，我们想要打造一项长远的业务。”

陈立武强调了一个众所周知的商业惯例：执行得当的宏伟路线图，与有竞争力的产品或制程技术同等重要。因为许多公司购买的不仅仅是产品，更是路线图，他们倾向于与供应商建立长达数年的合作关系。鉴于此，英特尔必须为合作伙伴提供长期的路线图可见性，因此必须提前数年着手研发距离商业化尚远的技​​术。

就英特尔14A而言，其开发正按计划推进，0.5版本的工艺设计套件已可提供，0.9版本PDK则定于十月发布。

陈立武表示：“显然，关于14A，我们在第一季度已宣布推出v0.5 PDK，这样客户就可以进行测试芯片的投片，查看我们的良率，并判断他们是否能够逐步真正地与我们合作设计并制造其产品。最终的目标是v0.9 PDK。目前，我们计划在十月向外部客户交付。内部客户会更早获得，这样我们可以确保真正理顺流程、确保方向正确、确保能够以高品质赢得市场。”

陈立武称，已有多个客户对14A表达了兴趣，不过英特尔尚未披露具体名单。

陈立武说：“已有多个客户就14A与我们接洽，以真正明确做什么产品、希望选择哪个代工地点、需要何种产能。我不会披露客户名称。如果客户希望公开，我们会予以支持。”

关于英特尔14A的时间表，英特尔预计在2028年进行风险试产，随后于2029年实现量产，这一时间点大致与台积电开始使用其A14制程技术量产芯片的时间重合。

在此需要注意三点。首先，台积电的A14并非英特尔14A的直接竞品，因为后者具备背面供电功能，更适用于高端数据中心级处理器。其次，据称台积电将在2028年底开始使用A14制造芯片，且该公司往往能以极高的良率和产能启动大规模量产。相比之下，英特尔是在开发晶圆厂启动量产，需要一段时间才能达到可比的良率和产能规模。第三，英特尔的14A将是首批兼容High-NA EUV光刻系统（用于特定层）的节点之一，并且将是首个有能力将此类扫描仪用于大规模量产的生产节点。

对英特尔而言，导入全新的High-NA EUV设备——连同新型光刻胶、新型光掩模、新型防护膜、新型量测工具、新的设计规则、新的计算光刻流程以及大量其他创新——绝非易事。因此，公司正与ASML及合作伙伴全力协作，确保这一新生态系统为关键应用做好准备。巧合的是，据报道，ASML首席执行官Christophe Fouquet表示，首批使用这些High-NA EUV设备制造的测试芯片将在未来几个月问世，但他并未具体说明由哪家厂商或在哪座工厂制造。