苏州纳米城正式发布薄膜铌酸锂光芯片PDK，全面开放MPW流片与量产服务，加速“光学硅”产业化落地

2026年，薄膜铌酸锂（TFLN）产业正加速迈向规模化商用阶段。在近日举办的“2026铌酸锂芯片制造交流会”上，苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司（MEMS RIGHT，简称MRT）重磅发布薄膜铌酸锂光芯片工艺设计套件（PDK），并全面推出多项目晶圆（MPW）流片与量产服务。

这是国内首个面向行业开放的薄膜铌酸锂量产代工平台，标志着“光学硅”产业化正式打通从设计到规模制造的完整链路。

PDK重磅发布，降低行业创新门槛

此次发布的PDK 1.0，基于MRT成熟的6/8英寸薄膜铌酸锂工艺平台构建，配套完整的DRC设计规则检查文件，旨在为Fabless设计企业、科研机构和初创团队提供标准化的工艺设计支撑。

PDK涵盖LN波导层、调制电极层、热调电阻/终端电阻层、通孔连接层、电连接层及PAD开窗层等八大工艺层次，并内建丰富的标准器件库，包括端面耦合器（SSC）、光栅耦合器（GC）、定向耦合器（DC）、1×2/2×2 MMI分束器、偏振旋转分束器等，设计者可直接调用，大幅压缩研发周期。

高性能工艺平台，支撑超高速调制

在关键工艺指标上，MRT产线采用Si衬底（675μm）+热氧化层（9/10μm）+LN薄膜（600nm）的标准晶圆结构，实现波导侧壁粗糙度约0.4nm，单模传输损耗低至0.05 dB/cm（长期均值0.2 dB/cm），器件电光带宽可超过80GHz，充分满足1.6T/3.2T光模块等超高速互连场景对调制器性能的苛刻要求。

当前平台基于i‑line光刻，最小线宽0.35μm；2026年将升级至DUV光刻，最小线宽将推进至0.11μm，进一步提升高精度光子结构加工能力。

开放MPW流片服务，加速规模商用

依托已验证的工艺平台，MRT正式推出薄膜铌酸锂MPW流片服务体系。单晶圆可承载最多4种设计，单款排布不少于28颗die，帮助客户有效分摊高昂的掩膜与制造成本。

服务流程覆盖从签署保密协议、获取PDK/DRC、签订合同、MRT提供标准设计模块，到制版、流片及最终交付的全过程，并配套划片、端面抛光、测试与键合打线等后段工艺，形成面向光通信、AI算力互联、光纤陀螺、量子光学等前沿应用的一站式代工方案。

Fabless+Foundry模式，验证产业化路径

MEMS RIGHT自2021年起布局薄膜铌酸锂赛道，复用其深耕十余年、拥有IATF16949车规认证的6-8英寸MEMS产线，并新建专用洁净室、导入LN刻蚀等专用设备，已成功完成超20款产品研发定型。平台携手南里台科技等Fabless合作伙伴，验证了Fabless设计+Foundry代工模式在薄膜铌酸锂领域的商业可行性，今年即将完成通信领域典型客户芯片验证，正式推动薄膜铌酸锂进入光通信商用元年。

随着PDK的正式发布与MPW服务的全面开放，MEMS RIGHT将有效降低薄膜铌酸锂芯片的研发门槛，加快产品迭代与规模化落地，为“光学硅”时代的到来提供坚实的制造底座。