Trumpf × Lidrotec：激光晶圆切割工艺提速 3 倍
2026-02-10
德国工程公司Lidrotec与Trumpf合作开发出一种新型激光切割工艺，借助 Trumpf 的激光与光束整形技术，实现了晶圆的规模化量产。
该技术可让半导体制造用户切割速度提升三倍以上，同时保持极高的切口边缘质量。
Trumpf 负责晶圆切割业务的Christian Weddeling表示：
“全新的激光切割工艺突破了传统方法的极限，能够帮助芯片行业更快、更经济、更高品质地制造下一代半导体。”
双方将于2 月 11 日至 13 日在首尔举办的Semicon Korea 2026展会上展示这项新技术。
图 | 激光赋能 —— 晶圆切割更高效
速度提升三倍
将半导体芯片从晶圆上分离是半导体制造后端制程中的关键步骤。Lidrotec 的新工艺将液流下的激光烧蚀切割与 Trumpf高精度光束整形技术相结合。
该技术使生产效率大幅提升，切割速度比传统机械锯切快三倍以上，同时可达到与等离子切割相当的顶级切口质量。
工艺中使用的液体可即时清除熔融和固化的残留物，减少后处理工序，提高无缺陷芯片的良率。由于不再需要锯片等易损耗机械部件，设备维护与运行成本均低于传统锯切。
Lidrotec 首席技术官Alexander Kanitz表示：
“高速度、高良品率、低材料损耗的结合，让我们的技术让半导体生产更高效、更经济。”
此外，该工艺可灵活适配硅、碳化硅（SiC）及混合结构晶圆等多种材料，适用于各类半导体产品。
资讯来源：Optics.org
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