欧洲 FAMES 中试线项目落地：首批半导体成果验证后正式启用

FAMES 中试线在投入运行两年后正式落成启用，该设施已在一系列先进半导体技术领域产出经验证的技术成果，包括全耗尽绝缘体上硅（FD‑SOI）、射频元件、嵌入式非易失性存储器、三维集成以及电源管理集成电路（PMIC）。

图|格勒诺布尔 FAMES 中试线落成启用（来源：André Wygledacz/Narracia/CEA）

这些成果依托 300 毫米生产线取得，并在各大国际会议上展示，表明该计划已正式落地见效，为欧洲打造了具备实际运营能力的半导体产业实力。FAMES 中试线旨在通过加速技术从研发到工业部署的转化进程，助力欧洲实现技术主权。

此次落成仪式恰逢 CEA‑Leti 位于格勒诺布尔的洁净室扩建项目同步启用。作为一个开放式共享平台，该中试线主要面向欧洲初创企业、中小型企业、工业集团及科研机构开放，同时也向欧洲以外的合作伙伴提供接入服务。

其核心目标是帮助用户在大规模量产前，完成先进半导体技术的原型开发、资质认证，并降低相关技术风险。该项目由 CEA 牵头协调。

自投入运行以来，这条中试线已在多个核心技术领域取得进展，包括先进衬底、铁电嵌入式非易失性存储器、下一代 FD‑SOI、3D 集成技术以及高性能射频无源元件。这些技术领域被视为未来芯片架构与应用的关键支撑。

CEA‑Leti 副主任兼首席技术官 Jean‑René Lèquepeys 表示：“FAMES 项目研发的突破性技术，旨在支持下一代 10 纳米以下 FD‑SOI 芯片的发展，为欧洲提供高性能、低功耗的核心元器件。相较于当前技术节点，将 FD‑SOI 技术缩放至 10 纳米和 7 纳米级别，将在芯片密度、功耗、速度及射频性能等方面实现显著提升。”

在近期达成的技术里程碑中，CEA‑Leti 在 2025 年 IEDM 会议上公布了一项重要成果：成功制造出功能完备的 2.5 伏 SOI CMOS 器件，且制造过程中的热预算控制在 400 摄氏度以内。该器件性能可与传统高温 CMOS 工艺相媲美，攻克了大规模 3D 顺序集成的一大核心障碍。这一进展为开发高密度、多层芯片架构提供了支持，且该架构与先进后端工艺兼容，正是 FAMES 项目的关键目标之一。

这座新建设施新增了 2000 平方米洁净室空间，使 CEA‑Leti 的洁净室总面积达到 14000 平方米。新洁净室将配备 80 余台先进的 300 毫米制造设备，建筑包含两层地下室以容纳复杂的技术基础设施，天花板高度达 5 米以适配大型设备，并采用了减振设计及专用备用电力系统，确保设施持续稳定运行。

设施设计中还融入了环保理念，通过采用高性能保温材料、余热回收系统等措施，旨在最大限度降低运营过程中的环境足迹。

FAMES 中试线依托 2022 年启动的 France 2030 NextGen 项目建设，并在 2023 年借助 EU Chips Act 的支持获得了进一步发展动力。这两项举措均旨在通过提供开放、先进的技术研发环境，缩短实验室研究到产业成熟的周期。

CEA‑Leti 副总裁、FAMES 中试线协调官 Dominique Noguet 表示：“相关成果已在国际上发表并获得验证，这充分彰显了 FAMES 中试线的核心作用。它并非一条未来的生产线，而是一个已投入运营的平台，致力于推动先进技术走向成熟、完成验证，并为向产业界转移做好准备。”

该项目总投资额达 8.3 亿欧元，由 European Commission 通过 Chips Act 及参与成员国共同出资支持。FAMES 项目汇聚了来自 8 个国家的 11 家合作伙伴，核心目标是强化欧洲的技术自主权，缩小战略半导体领域从研发到产业化的差距。

CEA 总干事 Anne‑Isabelle Etienvre 表示：“随着 FAMES 中试线的落成启用，CEA 为欧洲提供了一项独特的核心能力，助力战略技术加速成熟并向产业界转移。这一成就充分彰显了我们‘从实验室到产业’模式的强大实力 —— 该模式以卓越科研为基础，与产业界建立紧密的务实合作关系，完全契合 Chips Act 的宏伟愿景。”

资讯来源：《New Electronics》