Ennostar与Allos合作，大规模生产8英寸GaN-on-Si Micro LED晶圆

1 月 19 日，台湾最大的LED制造富采光电（Ennostar）宣布与德国外延技术专家Allos Semiconductors达成战略合作，共同推进8英寸氮化镓硅基（GaN-on-Si）LED外延晶圆的量产。此次合作旨在加速微型LED显示屏在增强现实等高度集成应用中的普及，同时为未来向12英寸GaN-on-Si技术的过渡奠定基础。

Ennostar表示，此次合作结合了其在LED器件结构方面的深厚专业知识和Allos专有的硅基氮化镓缓冲结构技术。两家公司的目标是共同打造亮度与性能媲美传统蓝宝石衬底上生长的硅基氮化镓Micro LED。通过将晶圆尺寸扩展到8英寸及以上，该方法还显著提高了可用表面积和制造效率。

两家公司补充说，该技术支持适用于近眼显示器的超小像素间距，同时与现有的硅晶圆工艺具有很强的兼容性，并为大规模生产提供了更清晰的途径。

行业分析师指出，与通常用于大面积显示器的玻璃基板Micro LED相比，硅基Micro LED更适合AR眼镜等微型显示应用。其优势之一在于，硅基Micro LED可使用成熟的半导体制造设备进行加工，从而减少了昂贵的新投资需求。此外，硅基氮化镓Micro LED晶圆可直接与CMOS背板集成，省去了多个转移步骤，使其在AR微显示应用中极具吸引力。

Ennostar总经理唐修穆表示，此次合作将提供极具竞争力的硅基氮化镓Micro LED解决方案，同时建立一条与标准硅晶圆代工工艺紧密衔接的可扩展制造路径。他指出，通过与Allos的合作，Ennostar正处于8英寸硅基氮化镓Micro LED外延技术的前沿地位，以更完整的价值链支持快速发展的Micro LED生态系统。

Allos Semiconductors联合创始人兼首席执行官Burkhard Slischka表示，此次合作汇集了他所说的业内最佳技术：高LED效率、极高的晶圆良率以及Micro LED外延和芯片集成能力。他表示，此次合作标志着Micro LED芯片制造领域的一个新里程碑。

Ennostar 将此次合作描述为Micro LED 供应链走向成熟的标志。两家公司表示，此举还将有助于推动 12 英寸硅基氮化镓Micro LED 外延技术的发展，以满足市场对更大尺寸晶圆的需求，并加速Micro LED 的广泛应用。

自2020年以来，Allos已展现出12英寸Micro LED的生产能力，并持续与全球客户合作改进该技术。Ennostar表示，随着Micro LED技术逐步走向大众市场，公司计划继续与行业伙伴合作，拓展其应用范围。