我国首个EUV光刻胶标准进入公示！多家高校EUV光刻材料研究取得成果！

国家标准化管理委员会官网发布拟立项标准公示信息，我国首个针对极紫外（EUV）光刻胶的测试规范——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》已于10月23日启动公示程序，公示期将持续至11月22日。该标准由上海大学，联合张江国家实验室、上海华力、上海微电子等业内重点科研机构与企业共同起草。

作为国内在EUV光刻胶领域制定的首部标准文件，此项工作填补了我国在先进光刻材料测试体系方面的空白。通过建立统一、科学的性能评估框架，该标准将为国内外相关材料的研发、验证与应用提供可比对的技术依据，推动形成规范化的技术评价环境。

EUV光刻胶是极紫外光刻的关键材料，工作波长为13.5nm，主要应用于7nm及以下制程的集成电路制造，是实现先进逻辑芯片、高端存储芯片等微小化、高性能芯片生产的不可或缺的材料。

当前，随着全球半导体产业向先进制程加速演进，EUV光刻技术已成为7   nm及以下节点的唯一量产方案。但是，EUV光刻胶完全被国外先进半导体材料公司所垄断（JSR、东京应化等占据超过95%全球市场份额），国产化率为零，国内的研发也仍处于起步阶段，亟需突破材料自主化与标准化壁垒。

标准落地后预计将实现三方面积极影响：

其一，提升国产光刻胶在晶圆制造环节的验证效率，促进测试数据互认，降低产线导入的技术风险；

其二，带动本土测试装备的技术升级与自主配套，助力研发成本控制；

其三，加速半导体材料从长期依赖进口向自主供给的战略转型，支撑高端芯片制造产业链的安全与稳定。

该标准的制定，标志着我国在突破EUV光刻关键材料“卡脖子”问题上迈出制度化一步，不仅为核心技术攻关提供基础支撑，也有助于提升我国在全球半导体材料标准体系中的话语权和产业竞争力。

根据应用波长的不同，光刻胶可以分为多种类型：

• g线光刻胶，其曝光波长为436nm，广泛应用于芯片制造中的精细图案制作。

• i线光刻胶，其曝光波长为365nm，常用于制造过程中对精度要求较高的环节。

•  KrF光刻胶，其曝光波长为248nm，适用于深亚微米芯片制造。

•  rF光刻胶，其曝光波长为193nm，因其出色的分辨率和灵敏度，被广泛应用于高端芯片制造。

• EUV光刻胶，其曝光波长仅为13.5nm，是目前最先进的光刻胶技术，可用于制造最先进的芯片。

EUV光刻胶是应用于13.5纳米波长极紫外光刻工艺的核心感光材料，主要用于7纳米及更先进制程的集成电路生产，对逻辑芯片、高密度存储器等高性能器件的微缩化制造至关重要。

随着全球芯片制造向3nm、2nm节点持续推进，EUV光刻已成为先进制程不可或缺的量产手段。然而，与此形成鲜明对比的是，全球EUV光刻胶市场高度集中，主要由日本企业如JSR、东京应化等主导，合计占据超过95%的市场份额，我国目前尚未实现任何批量供应，国产化率仍为零，整体研发处于早期探索阶段。

科研进展持续涌现

在政策层面，光刻胶已被列入《“十四五”原材料工业发展规划》重点突破的新材料目录，国家对其自主可控高度重视。

近期，国内多所高校在EUV光刻材料基础研究方面取得积极成果：

北京大学彭海琳教授团队联合研究机构，利用冷冻电子断层扫描技术，首次在液相环境中揭示了光刻胶分子的三维微观结构及其界面行为，为优化材料设计、减少曝光缺陷提供了新路径。

南开大学现代光学研究所团队在氧化钛团簇材料方面实现突破，成功激活其光敏特性，并制备出分辨率达12.9纳米的负性图案，为开发新型钛基EUV光刻胶奠定基础。

华东理工大学科研团队提出一种新型非晶态沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜制备方法，采用间歇旋涂结合化学液相沉积技术，实现了厚度可控的高质量薄膜，并完成电子束及超越EUV波段的光刻验证。

清华大学许华平教授团队则开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻体系，展现出良好的EUV响应性能，为下一代光刻材料的设计提供了创新思路。

这些基础研究成果为国产高端光刻胶的技术突破积累了重要理论与实验支撑。