生产型 TGV/TSV 高真空磁控溅射镀膜机
Sputter-2000W系列
该设备用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的镀膜，深径比>10:1。例如：用于基板镀膜工序Cu/Ti微结构，Au/TiW传输导线双体系膜层淀积能力，为微系统集成密度提升提供支撑。
设备优点：膜层均匀性及重复性高，膜层附着力强，设备依据工艺配方进行可编程自动化控制。
设备结构及性能参数
-单镀膜室、双镀膜室、多腔体镀膜室
-卧式结构、立式结构
-线列式、团簇式
-样品传递：直线式、圆周式
-磁控溅射靶数量及类型：多支矩形磁控靶
-磁控溅射靶：直流、射频、中频、高能脉冲兼容
-基片可加热、可升降、可加偏压
-通入反应气体，可进行反应溅射镀膜
-操作方式：手动、半自动、全自动
-基片托架：根据基片尺寸配置
-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客户指定尺寸
-进/出样室极限真空度：≤8X10-5Pa
-进/出样室工作背景真空度：≤2X10-3Pa
-镀膜室的极限真空度：5X10-5Pa，
工作背景真空度：8X10-4Pa
-膜层均匀性：<5%（片内），<5%（片间）
-设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa
生产型 高真空磁控溅射/
离子辅助/多弧复合镀膜机
该设备广泛应用于铣刀、钻头、轴承、齿轮、镜片等表面的硬质耐磨涂层制备，集成了工件表面处理、离子清洗、颗粒物控制、磁控溅射、离子辅助镀膜及反应溅射镀膜等工艺方法于一体的PVD设备。
可以制备单层膜、多层膜、掺杂膜、金属膜及合金膜、化合物薄膜等。设备由PVD镀膜室、集成封闭机柜、分子泵+旋片泵真空机组、真空测量系统、工艺气路系统、磁控溅射靶、直线型离子源、工件架、靶挡板、工件旋转机构、脉冲直流电源、高能量脉冲电源、中频电源、射频电源、偏压电源、离子辅助镀膜电源及控制系统、检测及报警保护系统、水冷管路系统、循环制冷恒温水箱、计算机+PLC 两级控制系统组成。- 整机外形尺寸：2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根据用户产能规模定制尺寸。- 磁控溅射靶为矩形，靶面尺寸80mm X 300mm，沿真空室壁的圆周排列，可以随时在线调整靶面与样片的距离，靶头伸缩距离150mm。也可根据工件尺寸调整靶面尺寸。
- 直线型离子源沿真空室壁的圆周排列，数量两组，工作气压0.1-0.3Pa，能量200-5000eV可调，束流强度0.2-1A。
- 工件架为圆筒形结构行星式分布，工件沿圆周排列，每个工位工件既自转又公转。样品装载数量大；旋转运动运行平稳，无抖动；密封可靠。
- 工件可加偏压。
- 加热系统采用红外加热器，对真空环境无污染，加热均匀；具有PID功能的智能温控仪控制加热功率。工件最高可加热至500摄氏度。
生产型 高真空磁控溅射及离子辅助复合镀膜机
该设备采用磁控溅射、离子辅助、反应溅射的工艺方法，在工件表面制备各种薄膜材料。该设备是集成了工件表面处理、离子清洗、颗粒物控制、磁控溅射、离子辅助镀膜及反应溅射镀膜等工艺方法于一体的PVD设备。
可以制备单层膜、多层膜、掺杂膜、金属膜及合金膜、化合物薄膜等。真空室为圆柱形、上开盖、前开门结构；使用材料均为奥氏体不锈钢304/321，表面电化学抛光处理，无微观毛刺，不会藏污纳垢。磁控溅射靶为矩形，沿真空室壁的圆周排列，可调整靶面与工件的距离。样品架为圆筒形，样品装载数量大；旋转运动为齿轮驱动式，动力直连输入，经齿轮驱动样品台转盘旋转，运行平稳，无抖动；密封可靠，故障率低。加热系统采用红外加热器，对真空环境无污染，加热均匀；采用具有PID功能的智能温控仪控制加热功率。电气控制及操作系统工作稳定可靠，操作界面清晰大方，便于操作。
