多个项目中标!国产电子束光刻机商业化进展
目前最高精度(10nm以下)的芯片是用ASML公司的EUV光刻机制造的,而芯片制造工艺中,决定制程精度的掩膜版,其最高端的部分则是由另一种光刻机制造的,它就是电子束光刻(Electron-beam lithography,EBL ,又称电子束曝光)。
EUV、DUV这类光学光刻是利用不同波长的光,通过掩膜版照射光刻胶,通过曝光和显影产生微结构,而电子束光刻则是利用粒子(电子)束直接照射在光刻胶或其他敏感材料上,通过改变材料的局部性质实现微结构的刻写。电子束光刻不依赖掩膜版,而是通过电子束扫描的方式逐点曝光,这使得其在高分辨率和极小结构的刻写中具备优势。与传统的光学光刻相比,电子束光刻能够在纳米级尺度上实现更高精度的图案定义,但其速度较慢,通常用于较小批量的生产(掩膜版生产)或研究和开发阶段。
电子束光刻机市场格局
电子束光刻按照电子束扫描方式可以分为高斯束、变形束和多束电子束,其中高斯束设备相对门槛较低,能够灵活曝光任意图形,被广泛应用于基础科学研究中,而后两者则主要服务于工业界的掩模制备中。目前EUV掩膜版已经全部采用多束电子束光刻设备生产,主要供应商为奥地利IMS Nanofabrication和日本NuFlare Technology两家。其他电子束设备厂商包括德国Raith、德国Vistec、日本JEOL、日本Elionix、日本Crestec、美国Multibeam等,这些厂商的设备都有各自的特点。
我国电子束曝光技术是六十年代后期开始发展起来的,到七十年代,近十家从事电子束曝光技术研究的单位,在北京、上海、南京分别以大会战的方式组织了较强力量的工厂、研究所和高等院校研制。当时由于国内缺乏基础,而电子束曝光本身又是一种多学科的综合性技术,几年之后,许多单位因任务改变而结束了此项工作。在2000年后电子束光刻设备研发热度逐渐降低甚至一度搁置。
在《瓦森纳协定》禁止向中国提供高性能电子束光刻设备后,国内电子束光刻设备研发才重新被提起。“十四五”国家重点研发计划“基础科研条件与重大科学仪器设备研发”重点专项中,电子束相关技术和装备,包括电子显微镜、电子束曝光机是围绕国家基础研究与科技创新重大战略需求,关键核心部件国产化的突破口。
多个国产电子束光刻机项目中标
通过【微纳视界】招投标信息查询得知,近期国内多个电子束光刻机招标项目,中标方为国内企业。其中北京金竟科技有限责任公司成功中标太原理工大学和北京大学的电子束曝光机项目;安徽泽攸科技有限公司则中标复旦大学电子束光刻系统机台采购项目,是该公司首个电子束光刻机公开中标项目。公开信息显示,北京金竟科技有限责任公司在2023年8月,中标天津大学理学院电子束光刻机采购项目,这是国内电子束光刻机首次公开中标。
发布日期:2024-12-09

发布日期:2024-12-13

【中标】北京大学集成电路学院扫描电子显微镜+图像发生器采购项目
发布日期:2024-11-13

发布日期:2023-8-23

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入驻企业推荐——北京金竟科技有限责任公司
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北京金竟科技有限责任公司(简称“金竟科技”)成立于2018年12月,是一家拥有自主研发能力、技术创新能力、生产制造能力的高新技术企业。公司拥有多项自主知识产权的专利技术,专注于电子束曝光系统、阴极荧光检测系统、超低温冷台、图形发生器等高精尖微纳制造设备的研发和生产。公司资质优良,实力雄厚,为相关领域的研究和应用提供了有力的支持,总部位于北京,在广州、苏州等地设有子公司/办事处。
金竟科技以“电子束”为核心技术,自研电子束检测设备与电子束加工设备;以“荧光探测”、“超低温”为延伸技术,打造电镜周边配件产品。金竟科技集上述产品的研发、生产、销售及分析测试服务为一体,致力于实现高端科学仪器的自主可控和国产替代,已入选国家高新技术企业、北京市“专精特新”中小企业等。
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