中科纳米张家港化合物半导体研究所

江苏省张家港市福新路2号

中科纳米张家港化合物半导体研究所，由张家港市人民政府投资建设，位于张家港市纳米产业园内。研究所传承院地合作，建设开放、服务性平台，开展纳米材料与器件关键技术研究，化合物半导体及其工艺的研究，及其相关领域应用技术开发、成果转化、技术咨询、培训与服务，建设成张家港乃至长三角地区化合物半导体和集成电路企业的高水平联合研发公共服务平台、国内具有知名影响力的化合物半导体和集成电路领域的一流研发机构和产业园区。
研究所根据张家港市产业部署和实际需求，发挥院地合作优势、创新体制机制，重点围绕纳米材料、通信、电力电子、激光通讯、光传感器等前沿技术和国家亟待解决的关键半导体元器件技术，致力于GaAs、InP、GaN与SiC等为代表的化合物半导体领域的关键技术突破、外延技术服务、公共检测平台建设、人才项目引进和产业化，力争创建政产学研协同创新的科技成果转化平台、高技术企业孵化平台、公共技术服务平台以及高层次人才创新创业平台，加速推进我国化合物半导体产业链体系的形成，缓解我国化合物半导体外延片严重依赖进口的现象，培育张家港经济新动能、加速战略新兴产业快速成型，同时为区域创新能力建设、产业转型升级和经济社会跨越发展提供技术支撑，为制造“中国芯”贡献力量。

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先进外延平台

半导体先进外延技术平台(SAE)

外延平台针对当前无线通讯、光纤通讯以及3D传感等领域对大尺寸外延晶圆的需求，采用MOCVD技术，聚焦GaAs与InP基化合物半导体光电与微电外延晶圆的生长。主要的研发方向为6" GaAs HBT和pHEMT、6" GaAs VCSEL激光器、4" GaAs大功率激光器、2”与3”InP 激光器和探测器，同时还承接科研院所与企业提供GaAs与InP基外延片的定制化服务。

研究院以满足国家战略需求和促进区域经济社会发展为己任，根据张家港市产业部署和实际需求，重点围绕（纳米材料、电力电子、激光通讯、光传感器）等前沿技术和国家亟待解决的关键半导体元器件，致力于GaAs、InP等为代表的第二代化合物半导体，GaN、SiC等为代表的第三代化合物半导体等领域的关键技术突破、外延技术服务、公共检测平台建设、人才项目引进和产业化，力争率先创建政产学研协同创新的科技成果转化平台。

材料测试平台

材料测试平台配备先进的化合物半导体外延材料和器件表征及测试设备，可实现外延片晶体质量，结构及器件光电性能分析测试，并提供相关技术支持。目前已经建立的测试技术包括晶体质量及材料结构测试，表面缺陷分析成像，高阻及常规方阻测试分析成像，台阶高度测试，材料反射率测试、掺杂浓度、迁移率、光致发光波长的测试，样品最大可支持6寸。

产业育成中心

张家港研究院育成中心为推动张家港与中国科学院全面的产学研合作，适应张家港产业发展技术的需求，使中科院相关科研院所能够在推进地方产业技术集成创新、工程化研发和成果转移转化拥有良好的合作平台。

张家港研究院育成中心将不断探索和创新技术转移模式与特色，以市场化、专业化、高端化为发展方向，持续提升服务水平和能力，加强与各创新主体、产业集群、特色产业基地等的协同，引进高水平项目和团队，在战略性新兴产业培育和高新技术产业发展中发挥支撑作用，推动传统产业转型升级，提升区域持续创新能力，打造“硅谷式”的世界一流的技术转移、成果转化和科技创新区。