深圳超滑技术平台 | 加工平台 | 微纳视界

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深圳超滑技术平台拥有世界一流的微纳加工、封装以及测试表征等设备总计200余台套，其中大型核心设备40余台，具有完备的6英寸超滑MEMS/NEMS芯片研发与制备能力，部分设备可实现8英寸芯片加工；对外提供先进工艺整合、共性工艺开发等技术服务。

5 nm最小线宽电子束曝光机 EBL

参数：

束斑类型：高斯束斑

加速电压： 125，100，75，50，25 kV

束斑电流：5 pA-1000 nA

最小束斑尺寸：1.7 nm

最小线宽：优于5 nm

写场尺寸：最大3000 μm

曝光面积：小于8 inch.

应用：

微纳结构光刻

集成光学器件，如光栅、光子晶体等器件光刻

NEMS结构、复杂精细结构光刻

光刻掩模板、纳米压印模板制作

800 nm最小线宽紫外光刻机 Aligner

参数：

衬底尺寸：2/4/6英寸

掩膜版尺寸：3/5/7英寸

对准精度：±0.5 μm

分辨率：≤ 0.6 μm

波长：365 nm、436 nm

应用：

标准光刻

MEMS光刻

压印光刻

键合对准

背面对准

微流控光刻

电极光刻

600 nm最小线宽激光直写光刻机

参数：

最小地址网格：10 nm

加工线性光栅时，图形的最小分辨率：150 nm

光刻最小结构尺寸：600 nm

直写速度：6-1000 mm²/min

应用：

掩膜版加工

三维微结构加工

MEMS生物芯片加工

传感器加工

灰度曝光

250 nm~5 μm周期纳米图形阵列光刻机

参数：

兼容4英寸及以下

套刻对准精度1-2 μm

周期分辨率：250 nm-5 μm

线宽分辨率：100 nm

占空比：30%-50%可调

周期精度优于0.1 nm

大面积均匀光场图形均匀性优于10%

应用：

适合科研及小批量生产需求

AR衍射光波导

低成本、高效率制备大面积纳米周期阵列结构

纳米孔阵列-生物介质孔

大面积光栅、流道曝光

感应耦合等离子体刻蚀机ICP-RIE

参数：

动态温控：-20 °C到300 °C；

样品尺寸：最大支持直径200 mm晶圆；

模式：带预真空室

不均匀度 < 5% (6”)

压力范围 0.1 Pa … 20 Pa

功率范围 100 … 1200 W

下电极温度范围：室温~+250°C

应用：

刻蚀材料：介质，石英，玻璃，硅，氮化硅等介质膜层,金属

硅基光电子

DOE

压印模板刻蚀

超表面阵列

等离激元

金属光栅

电感耦合等离子体刻蚀机 ICP

参数：

兼容50 mm至200 mm直径的衬底，衬底厚度最大可达10 mm

电极的温度范围：-150℃至+ 400℃

可自动进行模式切换

+400℃

应用：

适用材料： Si

适用工艺：Bosch（50：1等大深宽比硅刻蚀）/非Bosch（浅硅刻蚀）

适用领域：微流控芯片/TSV/光电子/微纳米光学

离子束刻蚀机 IBE

参数：

刻蚀的侧壁垂直度：≥ 85°

刻蚀精度：≤ 10 nm

终极抛光表面粗糙度Ra = 0.1 nm

兼容50 mm至200 mm直径的衬底，衬底厚度最大可达10 mm

电极的温度范围：-150℃至+ 400℃

可自动进行模式切换

+400℃

应用：

三维结构刻蚀

材料表面清洗

材料表面终极抛光

金属结构等物理刻蚀

键合机 Bond aligner

参数：

最大粘合直径：200毫米（8英寸）

应用：

MEMS晶圆键合

LED晶圆键合

先进封装

2.5和3维集成

类金刚石薄膜沉积系统DLC

参数：

衬底尺寸：8英寸向下兼容

应用：

坚硬的DLC膜可以镀在低熔点衬底上，提高其耐磨性，防止其刮伤。

等离子体增强原子层沉积系统PE-ALD

参数：

兼容直径100 mm至200 mm的晶圆

基板加热器最高温度可达500℃•升温速率 ≥ 10℃/min

基板加热控温精准度为±5℃

应用：

适用于Al2O3，SiO2，HfO2，TiO2，TaN，AlN，SixNy等材料薄膜制备。

低压力化学气相沉积机LPCVD

参数：

淀积TEOS(SiO2)薄膜工艺：片内/片间均匀性： ≤±3%

淀积Poly-Si薄膜工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%

氧化工艺：片内/片间/批间均匀性：≤±3%

淀积Si3N4薄膜

工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%

应用：

批量制备氧化硅片/氮化硅片/生长多晶硅等。

磁控溅射镀膜机-介质

参数：

衬底尺寸：8英寸向下兼容

ICP反应溅射

应用：

衬底尺寸：8英寸向下兼容

ICP反应溅射 •溅射各类介质膜

如：氧化硅/氧化钛/氮化硅等

磁控溅射镀膜机-金属

参数：

衬底尺寸：6英寸向下兼容

膜厚均匀性: 150 nm±3%

可以加热至500℃

应用：

溅射金属薄膜，如Au、Pt、Ti、Cr、Al、Ni、Cu、Ag等。

电子束蒸发镀膜机EB

参数：

衬底尺寸：8英寸向下兼容

一炉可镀10片四寸基片

应用：

可制备介质膜，如TiO2、Al2O3、SnO2、SiO2等，以及金属膜，如 Au、Pt、Cr、Al、Ni、Ta、Nb、Cu等。

化学机械抛光机CMP

参数：

兼容直径100 mm、150 mm的晶圆

SiO2在Si上的Ra：0.186 nm

高精度：WIWNU ＜ 5%

应用：

CMP技术最广泛的应用是在集成电路（IC）和超大规模集成电路（ULSI）中对基体材料硅晶片的抛光。

聚焦离子束电子束双束显微镜FIB

参数：

电子束分辨率：0.7 nm at 30 keV STEM

灵活的5-axis机动平台

XY范围110 mm

Z范围65 mm

旋转360°

最大样品宽度尺寸110 mm

配UltimMax 65能谱仪

配Nordlys Max电子背散射衍射仪

应用：

具有为各种样品（包括非导电材料）进行出色的样品制备和微纳加工能力，可用于芯片失效分析，截面分析，EBSD测试，以及TEM制样等。

环境扫描电子显微镜 ESEM

参数：

高真空模式：30 kV时优于1.0 nm；1 kV时优于3.0 nm

低真空模式：30 kV时优于1.3 nm；3 kV时优于3.0 nm。

环境真空模式 (ESEM)：30 kV 时优于 1.3 nm

背散射电子 (BSE) 像分辨率：30 kV时优于2.5 nm

加速电压： 0.2 kV－30 KV

最大样品高度：85 mm

最大样品尺寸：122 mm

配Oxford Xplore 30能谱仪

配MM3A-EM纳米机械手

配MIS-EM微注入仪

应用：

微纳尺度形貌结构观测，成分分析

原子力显微镜AFM

参数：

扫描范围：100 μm×100 μm（可向下兼容）

真空吸附最大尺寸：直径200 mm

应用：

表面粗糙度测量

表面形貌表征

电学性能测量（PFM/EFM)

力阵列测量（F-D Mapping)

机械性能测量

力-距离曲线测量

纳米力学测试PinPoint

平台服务

平台对外技术服务主要分为以下几种类型：

1、微纳米制造工艺技术验证服务

高校和科研院所往往都有相应的微纳加工平台，但是存在平台设备数量和种类有限，设备维护保养状态不确定，机时预约较满等问题，无法高效运转满足各科研项目的需求。而微纳加工的设备较为昂贵，大多数企业没有这样的资金投入和管理微纳加工平台，但是其产品的预研也需要一定的技术验证确认是否可行。深圳超滑技术实验平台具备高端的设备、工艺，同时提供完善的工艺整合及生产管理服务，可以为客户提供先进制造工艺的技术验证。

2、设备/材料验证服务

为半导体制造领域的设备、材料供应商提供一个其产品开发和验证的平台。深圳超滑技术实验平台提供相应的设备和人员协助其进行在研产品的使用验证，并提供相应的表征和测试服务。解决了其产品验证过程中的关键问题，加快其产品迭代更新的速度。

3、工艺技术开发服务

微纳米制造的工艺技术广泛应用于集成电路、MEMS传感器、光学与光电子器件、生物芯片、先进封装等多个领域，但是目前国内少有可以提供特定结构的定制化工艺开发平台。要实现一个特定的精细结构，往往需要满足在同一个平台上设备、人员水平及工艺整合、异常分析和迭代管理能力一应俱全，同时还需要相应的生产管理、项目管理能力保证开发按照既定的时间点进行。平台已形成完整的技术服务团队，具有微纳米制造工艺全流程的设备，具备提供工艺开发技术服务的条件。

4、器件产品的打样及流片开发服务

大多数芯片器件的设计公司往往难以投资自有的芯片流片科研线，而产品的研发设计出来后需要联合制造企业进行流片、测试，以迭代设计。同时一些高端的模具，例如纳米压印所需要的纳米精度的硅模板，需要昂贵的电子束曝光及刻蚀工艺，目前国内缺乏可以提供开发服务的平台。本平台目前已为大量的微纳米光学/光电子、生物微流控及基因纳米测序芯片、MEMS传感器等产品设计团队提供DEMO打样，小批量代工，模具制造等技术服务。

目前，平台已服务国内百余家高校、企业、科研院所，逐步建立了微纳米制造技术服务领域良好的口碑。绝大多数客户目前已建立长期合作关系。